Sujet de la thèse:

Méthodes et Modèles pour une Approche de Dimensionnement Géométrique et Technologique d'un Semi-conducteur de Puissance Intégré. Application à la Conception d'un MOSFET Vertical autonome

Résumé:

Dans les travaux de cette thèse, nous avons appréhendé de nouveaux outils et nouvelles démarches pour la conception assisté et au prototypage des semiconducteurs de puissance intégrée sur silicium. Dans cet objectif, nous avons défini trois grandes problématiques :la sensibilité des caractéristiques électriques du composant de puissance en fonction des impacts de dispersion possibles de la filière technologique, la convergence des compromis technologiques et électriques entre l'interrupteur de puissance et les fonctions annexes intégrées monolithiquement au sein de l'interrupteur de puissance, la performance dynamique du composant de puissance en lien avec son environnement électronique. Ensuite, nous avons proposé et choisie des méthodes, des démarches et des outils les plus adaptés pour la modélisation et le dimensionnement optimal afin de repousser les limites actuelles de ces trois problématiques. A la dernier partie de ces travaux, nos outils sont appliqués aux différents dimensionnement de MOSFET de puissance.