PROJET ARCHIMEDES : Ensures Lifetime with Digital Means
KDT JU (Key Digital Technologies Joint Undertaking)
with financial support from BPI
G2ELabinvolved participants: J.-C. Crébier, Y. Avenas, A. Corne, J.-L. Schanen et Y. Lembeye
Project main partners : 50 Partners with in particular for France Université Gustave Eiffel, VITESCO, MURATA, SAFRAN Tech, CEA LETI, IRT St Exupéry, IFPEN, Next Move,...
Beginning : 01/05/2023
Keywords : Power electronics, reliability, robustness, power module, WBG devices, SiC, GaN, circularity
Plusieurs membres du laboratoire G2Elab participent au projet Européen ARCHIEMDES. Le consortium, composé de plus de 50 partenaires, issus de plus de 10 pays Européens vise à structurer l’écosystème et développer des solutions techniques pour augmenter la fiabilité des modules de puissance et des convertisseurs statiques à base de composants à Lage Bande Interdite (Wide Band Gad WBG en anglais). Le projet est organisé en plusieurs "Supply Chain" et "Work Packages" qui fédèrent les partenaires autour de différents axes de recherche et développement.
Links among "Supply Chains" and "Work packages" ARCHIMEDES project
ARCHIMEDES project main objectives
Objectives and workk to be done at G2Elab
L’équipe EP du G2Elab participe aux développements de modules de puissance plus fiable dans le cadre de la Supply Chain 1 qui aborde le développement d'un convertisseur OBC (On Board Charger) plus fiable et plus durable. Le G2ELab étudie les bénéfices d'une approche modulaire ainsi que le développement d'un jumeaux numérique en vue du suivi d'état de santé des composants de puissance à partir d'une approche de modélisation par brique standardisée.
L’équipe EP du G2Elab participe aux développements de modules de puissance plus fiable dans le cadre de la Supply Chain 2. Nous travaillons sur deux démonstrateurs, l'un étant basé sur des techniques d'ajouts/retrait de matière pour rendre les modules plus fiables, le second étant basé sur l'introduction de capacités de découplage dans le module de puissance à base de composants Grand Gap de type SiC.