ARCHIMEDES

PROJET ARCHIMEDES : Ensures Lifetime with Digital Means KDT JU (Key Digital Technologies Joint Undertaking) Avec le soutien financier de la BPI pour le financement national Participants G2ELab : J.-C. Crébier, Y. Avenas, J.-L. Schanen et Y. Lembeye

Principaux participants (autres) :  50 Partenaires dont en France Université Gustave Eiffel, VITESCO, MURATA, SAFRAN Tech, CEA LETI, IRT St Exupéry, IFPEN, Next Move,...

Date de début : 01/05/2023

Mots clés : Electronique de puissance, durabilité, module de puissance, composants Grand Gap, SiC, GaN, circularité

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Liste des participants au projet (48 + UGA + CNRS qui sont des partenaires affiliés de Grenoble-INP)
 

Objectifs du projet dans son ensemble

Plusieurs membres du laboratoire G2Elab participent au projet Européen ARCHIEMDES. Le consortium, composé de plus de 50 partenaires, issus de plus de 10 pays Européens vise à structurer l’écosystème et développer des solutions techniques pour augmenter la fiabilité des modules de puissance et des convertisseurs statiques à base de composants à Lage Bande Interdite (Wide Band Gad WBG en anglais). Le projet est organisé en plusieurs "Supply Chain" et "Work Packages" qui fédèrent les partenaires autour de différents axes de recherche et développement. 

Liaisons entre les "Supply Chains" et les "Work packages" du projet ARCHIMEDES

Objectifs du projet ARCHIMEDES
 

Objectifs et travaux à réaliser au G2Elab

L’équipe EP du G2Elab participe aux développements de modules de puissance plus fiable dans le cadre de la Supply Chain 1 qui aborde le développement d'un convertisseur OBC (On Board Charger) plus fiable et plus durable. Le G2ELab étudie les bénéfices d'une approche modulaire ainsi que le développement d'un jumeaux numérique en vue du suivi d'état de santé des composants de puissance à partir d'une approche de modélisation par brique standardisée.
L’équipe EP du G2Elab participe aux développements de modules de puissance plus fiable dans le cadre de la Supply Chain 2. Nous travaillons sur deux démonstrateurs, l'un étant basé sur des techniques d'ajouts/retrait de matière pour rendre les modules plus fiables, le second étant basé sur l'introduction de capacités de découplage dans le module de puissance à base de composants Grand Gap de type SiC.