Oxydes en couches minces

L’explosion du marché des nouvelles technologies (téléphones portables, tablettes…) ne ralentit pas et les concepteurs d’applications en tout genre foisonnent toujours plus d’imagination. Pour réussir le challenge d’intégrer ces applications dans des dispositifs électronique de taille raisonnable, des barrières doivent être levées. Parmi celles-ci, l’intégration de capacités de fortes valeurs constitue toujours un challenge et le développement de nouveaux concepts de stockage des informations doivent être pensé. Des oxydes en couche mince à forte constante diélectrique sont à l’étude au sein de l’équipe et pourraient constituer dans le futur des matériaux pouvant être intégrés. Le comportement parfois atypique de ces matériaux a également permis d’ouvrir un nouveau champ d’applications vers un concept de mémoire pour le stockage des informations et l’intégration de capacités variables avec des perspectives d’utilisation dans des filtres intégrés de nouvelle génération par exemple.
 

 

Banc de dépôt de couches minces par pulvérisation cathodique (g) et PECVD (d)

Mise en évidence d’états stables d’une capacité constituée d’un oxyde d’hafnium d’épaisseur 20 nm