Intégration

L'axe intégration se positionne aussi bien sur les nouveaux matériaux et procédés pour l’intégration que sur les nouveaux concepts comme les architectures 3D des modules de puissance.
 

• Evaluation de nouveaux matériaux et procédés pour l’intégration
• Architecture 3D des modules de puissance
• Développement de solutions technologiques pour les briques standardisées

Puce IGBT avec capteur de température intégré (collaboration SATIE, réalisation PTA)

Redresseur diodes diamant (collaboration Institut Néel)

 

Station de caractérisation CARAPACE (-200°C, +300°C, 3000V)

Banc de caractérisation électro-thermique

 

Module 3D Power Chip-on-Chip : PCoC

Réalisation du concept PCoC SiC-MOSFET (collaboration Mitsubishi MERSE)

 

Réseau de convertisseurs (collaboration CMP)

Module de puissance SiC-MOSFET pour onduleur de courant (collaboration CEA-INES)

• ALVES-RODRIGUES Luis : Conception et caractérisation d'un onduleur de courant triphasé à base de semi-conducteurs SiC 1,7kV pour l'application photovoltaïque
• PEREZ Gaëtan : Caractérisation de diodes Schottky en diamant de structure pseudo-verticale - https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01927746/document
• DBEISS Mouhannad : Mission Profile-Based Accelerated Ageing Tests of SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules in DC/AC Photovoltaic Inverters - https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01869018/document
• KA Ibrahima - Evaluation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance au sein des convertisseurs d’énergie électrique : application aux onduleurs photovoltaïques pour accroitre leurs performances et leur disponibilité - https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01781358/document
• LETOWSKI Bastien : Intégration technologique alternative pour l'élaboration de modules électroniques de puissance - https://thares.univ-grenoble-alpes.fr/2016GREAT114.pdf
• NGUYEN Van Sang : Conception caractérisation et mise en oeuvre d'un circuit intégré type driver en CMOS pour composants GaN - https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01485856/document
• REGNAT Guillaume : Onduleur à forte intégration utilisant des semi-conducteurs à grand gap - https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01390518/document